Wissenschaftler des Forschungszentrums Jülich und des Leibniz-Instituts für innovative Mikroelektronik (IHP) haben ein Halbleiter-Material entwickelt, das es bislang nicht gab. Die neue Verbindung besteht aus vier Materialien und könnte die Chipindustrie revolutionieren.
Die Entwicklung leistungsfähigerer und energieeffizienterer Computer-Chips gilt als zentrale Herausforderung der Elektronikindustrie. Ein Forscherteam des Forschungszentrums Jülich und des Leibniz-Instituts für innovative Mikroelektronik (IHP) in Frankfurt (Oder) entwickelte nun ein neues Halbleiter-Material aus Kohlenstoff, Silizium, Germanium und Zinn (kurz CSiGeSn).
Alle vier Elemente gehören zur gleichen Hauptgruppe des Periodensystems (Gruppe IV), was eine Kompatibilität mit bestehenden Herstellungsverfahren gewährleistet. Die neue Materialkombination verspricht zudem vollkommen neue Möglichkeiten für Bauelemente, die mit klassischem Silizium bislang nicht realisierbar waren – insbesondere in der Photonik und Quantentechnologie.
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Neues Halbleiter-Material mit besonderen Fähigkeiten
Durch die präzise Steuerung der Legierung lässt sich die sogenannte Bandlücke einstellen. Das ist eine zentrale Eigenschaft für das Verhalten elektronischer und optischer Komponenten. So können künftig optische Bauelemente wie Laser, LEDs oder Photodetektoren entwickelt werden, die direkt in Chips integriert sind.
Auch die Umsetzung eines Lasers, der bei Raumtemperatur funktioniert, wurde durch das neue Material erstmals greifbar. Noch spannender erscheint eine Anwendung im Bereich der Thermoelektrik. Denn dort könnte der Halbleiter dabei helfen, Abwärme (etwa in Wearables oder Prozessoren) in elektrische Energie umzuwandeln.
Die Verbindung vereint dabei vermeintliche Gegensätze: Winziger Kohlenstoff und großes Zinn lassen sich normalerweise schwer kombinieren, doch mithilfe industrieller Anlagen gelang eine gleichmäßige, hochwertige Schicht.
Ausblick: Basis für neue Technologien?
Mit dem neuen Material wurde bereits eine Leuchtdiode auf Basis sogenannter Quantentopfstrukturen entwickelt. Dabei handelt es sich um einen vielversprechenden Schritt in Richtung skalierbarer optoelektronischer Komponenten. Die Tatsache, dass die Herstellung mit Standardanlagen der Chipindustrie möglich ist, lässt auf eine baldige industrielle Umsetzung hoffen.
Kritisch bleibt, wie sich die Langzeitstabilität und die Fertigungskosten im industriellen Maßstab entwickeln. Doch der Grundstein scheint gelegt. Mit dem Halbleiter-Material CSiGeSn könnte ein neues Kapitel für integrierte Elektronik, Photonik und Quantentechnologie beginnen.
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Leider wird in dem Artikel mehrfach erwähnt, dass es sich das Forschungszentrum Jülich handelt. Der Sitz des Leibniz-Instituts für innovative Mikroelektronik wird allerdings verschwiegen. Dieser befindet sich in meiner Heimatstadt Frankfurt (Oder) und ich finde, dass das durchaus eine Erwähnung verdient hat, ist doch gerade für diese Stadt, die noch heute unter der Schließung des ehemaligen Halbleiterwerkes mit seinerzeit ca. 8500 Beschäftigten leidet, enorm auf die Erhöhung seiner Bekanntheit als innovativer und attraktiver Standort gerade auch für die Ansiedlung von Industrie angewiesen. Expertise, erschlossene Flächen und die Unterstützung durch Kommune und Land sind jedenfalls vorhanden. Man kann so dem Märchen des ewig abgehängt Ostens damit sicherlich ein Stück weit begegnen, insbesondere, wenn dies in einem ausgewiesenen Fachmagazin wie diesem geschieht.
Danke für das Feedback, Alexander. Ich habe Frankfurt (Oder) ergänzt. 🙂